تتميز الخلايا الشمسية المصنوعة من السيليكون أحادي البلورية بقدرة تنافسية عالية

ما هو معدل الخلايا الشمسية السيليكونية غير المتبلورة؟

على سبيل المقارنة ، معدل الخلايا الشمسية السيليكونية غير المتبلورة هو -0.20٪ / ° C إلى -0.30٪ / ° C ، اعتمادًا على كيفية صنع الخلية. كمية التيار الضوئي أناإليزيد بشكل طفيف مع زيادة درجة الحرارة بسبب الزيادة في عدد الموجات الحاملة المتولدة حرارياً في الخلية.

لماذا يستخدم السيليكون في صناعة الخلايا الشمسية؟

لماذا يُستخدم السيليكون في صناعة الخلايا الشمسية؟ يُعتبر السيليكون واحد من أكثر العناصر توافرًا في الطبيعة ويوجد بشكل أساسي في رمال الصحاري على هيئة أكاسيد السيلكون. لكن ما يجعل السيليكون عنصرًا مميزا في تصنيع الخلايا الشمسية هو تركيبه الكيميائيي الفريد؛ إذ تحتوي ذرة السيليكون على 14 الكترون موزعة على ثلاث مستويات طاقة.

ما هي الخلايا الشمسية السيليكونية الأولى التي أظهرها راسل أوهل؟

كانت الخلايا الشمسية السيليكونية الأولى التي أظهرها راسل أوهل من مختبرات بيل خلال الأربعينيات من القرن الماضي مبنية على تقاطعات طبيعية تشكلت من فصل الشوائب أثناء عملية إعادة التبلور [3]. تتمتع الخلايا بكفاءة تبلغ&لتر ؛ 1٪ بسبب عدم التحكم في موقع التقاطع وجودة مادة السيليكون.

ما هي حصة الخلايا الشمسية أحادية البلورة؟

ومع ذلك ، مع زيادة الكفاءة وانخفاض تكاليف الإنتاج ، اكتسبت الخلايا الشمسية أحادية البلورة أيضًا حصة كبيرة ومن المتوقع أن تتنافس بشكل وثيق مع الرقائق متعددة البلورات في المستقبل القريب. بالنسبة لتقنية Al-BSF القياسية ، أصبح 19 و 20٪ معيارًا للخلايا الشمسية متعددة البلورات وأحادية البلورية ، على التوالي.

ما هي الخلايا الشمسية متعددة الوصلات؟

إن الخلايا الشمسية متعددة الوصلات مصنوعة من مجموعة من مواد أشباه الموصلات المتعددة، ونظرًا لأن كل مادة لها فجوة نطاق مختلفة، فسيتم تحسين تقاطع (pn) لكل مادة من أجل طول موجي وارد مختلف للضوء، حيث يتيح استخدام مواد متعددة امتصاص نطاق أوسع من الأطوال الموجية ، مما يزيد من كفاءة التحويل الكهربائي للخلية.

ما هو الباعث الذي يتكون من النوع n لخلايا السيليكون الشمسية؟

يتكون الباعث من النوع n لخلايا السيليكون الشمسية من النوع p البلوري عن طريق انتشار الفوسفور (P). في عملية الانتشار ، يتم إرسال رقائق Si في الفرن وتعريضها عند 800-900 درجة مئوية لكلوريد الفوسفوريل (POCl3) و O2 مما يؤدي إلى ترسب PSG على أسطح رقاقة Si. تسمى هذه الخطوة بالترسيب المسبق ، حيث يعمل PSG [28] كمصدر لمواد الفوسفور (P) لتنتشر في رقاقة Si.